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MOSFET   SOIC 新人注册199.9厚礼已备

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图像仅供参考 请参阅产品规格

制造商编号 IRF7341TRPBF
制 造 商 Infineon Technologies   授权代理
唯样编号 A-IRF7341TRPBF
供货 唯样自营
无铅情况/RoHs 无铅/符合RoHs
描述
Dual N-Channel 55 V 2 W 36 nC Generation V Surface Mount Mosfet - SOIC-8

文档与媒体

规格信息 商品简介 常见问题

属性 属性值 操作
商品目录 MOSFET
系列 HEXFET®
Rds On(Max)@Id,Vgs 50m Ohms@4.7A,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 36nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 740pF @ 25V
功率耗散(最大值) 2W
工作温度 -55°C~150°C(TJ)
封装/外壳 SOIC
FET类型 N-Channel
漏源极电压Vds 55V
连续漏极电流Id 4.7A
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