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RFMD

美国RF Micro Devices公司 china/beijing:RFMD CO.,LTD  美国RFMD芯片公司 RF Micro Devices 成立于1991,总公司座落在北卡罗来纳州 (Greensboro, NC),1997年于NASDAQ上市。每年平均研发支出占总营业额约25%,由一群射频设计之专业研发团队所成立,设计工程师专精在无线通讯领域都具备相当完整射频集成电路( RF Integrate Circuit) 设计经验平均年资超过25年以上,设计工程师占全公司总人数28%目前约1400人。并且它也拥有多项专精制程技术,例如:AlGaAs、HBT SiGe、BiCMOS、GaN、GaAs pHEMT、InGaP HBT...等,堪称世界一流的射频集成电路设计公司。 本于对产品的价格竞争、品质要求、技术创新,该公司目前有8个设计中心, 6个分处位于美国、1个位于加拿大(Canada)、1个位于丹麦(Denmark), 成立至今,已拥有之客户都是全球一流公司,例如:Nokia, Motorola, Samsung, Sony-Ericsson, Sony, Kyocera, Siemens, Fujitsu, Cisco, 3COM, HP, Delphi, Maxon...等。 目前,提供市场应用的产品,区分为四大领域: 手持式行无线移动装置(Wireless Handsets) 无线局域网络 (WLAN802.11A/B/G) 基础通讯设备(Wireless Infrastructure) 篮牙与全球定位系统装置(Bluetooth & GPS)应用主要产品:手持式行无线移动装置(Wireless Handsets) 无线局域网络 (WLAN802.11A/B/G) 基础通讯设备(Wireless Infrastructure) 篮牙与全球定位系统装置(Bluetooth & GPS)应用
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